硅微粉具有常規(guī)SiO₂所不具有的特殊光學性能，它具有極強的紫外吸收，紅外反射特性，因此硅微粉可作為一種極為重要的紅外半導體材料，不同基團的有機硅微粉，折射率也不同，在產(chǎn)品設計方面也有所不同，粉體折射率和樹脂的折射率差異越大，在低質(zhì)量分數(shù)的情況下制備的涂層所獲得的霧度效果更好，透光率高，對光的損耗較小。硅微粉在紅外光學薄膜的制備中，有關電子槍沉積工藝方面的資料比較少。因此，在沉積Si 薄膜之前，需要研究適合Si 的電子蒸發(fā)工藝，主要包括沉積溫度、真空度、沉積速率等工藝參數(shù)的確定。這些參數(shù)會不同程度地影響到材料的折射率和消光(吸收)系數(shù)。通常，在使用過程中希望折射率盡可能高一些，消光系數(shù)盡可能低一些。另外，要確保蒸發(fā)工藝的兼容性，即能與其組合的低折射率膜料的工藝參數(shù)相一致。