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由于多晶 硅微粉 材料中的雜質(zhì)成分較復(fù)雜，其中不少雜質(zhì)會(huì)與氧發(fā)各種各樣的復(fù)合作用。比較為多人知道的是硼氧復(fù)合體，這目前被專家認(rèn)為是治金法多晶硅微粉材料電池衰減的主要原因。氧

除了金屬雜質(zhì)外，還有非金屬雜質(zhì)。通常， 硅微粉 中剩余比較多的是氧、碳、氮。這些雜質(zhì)在硅微粉材料中的存在，對(duì)硅材料的性質(zhì)都有深刻的影響。先說氧，除了金屬硅中所帶來的以外，石

而對(duì)于鐵，因?yàn)槭沁^渡金屬，因此，完全看不到會(huì)有什么好的作用。有研充表明：鐵在 硅微粉 中。會(huì)與棚也產(chǎn)生類似的復(fù)合體的作用，造成少子壽命的減少，而且，研鐵的相對(duì)作用：會(huì)因光照

如果 硅微粉 中有鋁存在，而且濃度在0. 1ppm 以上的時(shí)候，鋁會(huì)與硼一樣，對(duì)電阻率的下降做出責(zé)獻(xiàn)。假如。硅微粉中含有 0.3ppm 的硼，電阻率假如是0.5歐姆厘米，而同時(shí)又有 0.3ppm 的鋁，可能會(huì)

硅微粉 的雜質(zhì)過多，除了會(huì)光致衰減外，還會(huì)造成漏電流的增加。在電池的PN結(jié)附近，有一個(gè)空間電荷區(qū)，這個(gè)電荷區(qū)的電流正常情況下，應(yīng)當(dāng)是光生電流，即受光照后，載流子躍遷產(chǎn)生的電

金屬雜質(zhì)在 硅微粉 中會(huì)形成深能級(jí)，就是距離導(dǎo)帶和價(jià)帶都很遠(yuǎn)的能級(jí)，當(dāng)雜質(zhì)過多，導(dǎo)帶和價(jià)帶就會(huì)距離過遠(yuǎn)：硅微粉中金屬雜質(zhì)的情形與此相似，金屬雜質(zhì)會(huì)在硅中形成深能級(jí)，這些深能

磷和硼在 硅微粉 里是比較突出的雜質(zhì)組成部分，比例恰當(dāng)可以充分發(fā)揮最大導(dǎo)電性，同時(shí)雜質(zhì)配比過多則會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)型現(xiàn)象，導(dǎo)致電阻率下降。將純硅微粉里摻硼的P型料，和純硅摻雜球的N型科

對(duì)于物理法提純的 硅微粉 來說，除了磷和硼會(huì)同時(shí)存在外，還有鐵、鋁、鈣等金屬雜質(zhì)，即便是化學(xué)提純，也能通過加工的時(shí)候混入其他雜質(zhì)，也會(huì)出現(xiàn)復(fù)雜的情況。同時(shí)，對(duì)于一些采用電子

物理法多晶 硅微粉 ，又稱UNG ，其金屬雜質(zhì)含量通常在幾個(gè)ppm以上，以原子濃度來說，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其實(shí)，經(jīng)過調(diào)查，針對(duì)硅微粉的金屬雜質(zhì)的表現(xiàn)，目前還

定向凝固可以完全消除金屬雜質(zhì)嗎？說到 硅微粉 中金屬雜質(zhì)的去除，許多從事過冶金法或物理法提純多晶硅的人都認(rèn)為，通過定向凝固就可以把金屬雜質(zhì)消除殆盡，但是，“殆盡”是“接近沒